Tescan FIB-SEM

Tescanin FIB-SEM laitteistojen sarjaan kuuluu neljä eri kokoonpanoilla olevaa elektronimikroskooppia. Näistä neljästä kaksi pohjautuu CLARA FEG-SEM elektronimikroskooppiin ja kaksi pohjautuu vastaavasti MAGNA FEG-SEM elektronimikroskooppiin. Näistä kyseisistä laitteistoista voi lukea lisää täältä (FEG-SEM mallisto).

Tavallisen FEG-SEM ja FIB-SEM elektronimikroskoopin erottaa FIB-SEM laitteistoihin liitettävä ionitykki. Ionitykin avulla näytettä voidaan työstää, eli toisin sanoen näytteen pintaa voidaan "pommittaa" korkeaenergisillä ioneilla, jotka poistavat näytteen pinnasta materiaalia. Tämän ominaisuuden avulla näytteestä voidaan saada enemmän tietoa pintaa syvemmältä ja tästä syystä Tescanin FIB-SEM laitteistot ovat erinomaisia muun muassa materiaalitutkimuksessa, biotieteissä sekä puolijohdeteollisuudessa.

FIB-SEM elektronimikroskooppeja on kahdella erilaisella ionisuihku vaihtoehdolla. Gallium ionisuihkua hyödyntää Tescanin elektronimikroskoopeista AMBER ja SOLARIS. Xenon ionisuihku on käytössä AMBER X ja SOLARIS X malleissa. Lisätietoa näistä malleista voit lukea alta. AMBER ja AMBER X elektronimikroskoopit pohjautuvat CLARA sarjan FEG elektronimikroskooppiin ja SOLARIS sekä SOLARIS X taas MAGNA sarjan FEG elektronimikroskooppiin.


Lue lisää

AMBER FIB-SEM
Elektronimikroskooppi

  • CLARAan perustuva FIB
  • Gallium lähde
  • FIBin resoluutio: 2.5nm@30kV



Ionilähteenä on yleisimmin käytetty Gallium-lähde. Gallium-ionisuihkulla saavutetaan loistava tarkkuus ja hyvä työstönopeus.

Lataa esite

AMBER X FIB-SEM
Elektronimikroskooppi

  • CLARAan perustuva FIB
  • Xenon plasma -lähde
  • FIBin resoluutio:           <15nm@30kV (HR i-FIB+™), <25nm@30kV (i-FIB+™)


Gallium-ionisuihkuun verrattuna Xe-plasmalla saavutetaan huomattavasti suurempi työstönopeus, jolloin poikkileikkeiden tekeminen suuristakin kohteista onnistuu nopeasti. Työstövirta 1uA/2uA.

Lataa esite

SOLARIS FIB-SEM
Elektronimikroskooppi

  • MAGNAan perustuva FIB
  • Gallium-lähde
  • FIBin resoluutio: 2.5nm@30kV


Ionilähteenä on yleisimmin käytetty Gallium-lähde. Gallium-ionisuihkulla saavutetaan loistava tarkkuus ja hyvä työstönopeus.

Lataa esite

SOLARIS X FIB-SEM
Elektronimikroskooppi

  • MAGNAan perustuva FIB
  • Xenon plasma -lähde
  • FIBin resoluutio:        <15nm@30kV (HR i-FIB+™), <25nm@30kV (i-FIB+™)

Gallium-ionisuihkuun verrattuna Xe-plasmalla saavutetaan huomattavasti suurempi työstönopeus, jolloin poikkileikkeiden tekeminen suuristakin kohteista onnistuu nopeasti. Työstövirta 1uA/2uA.

Lataa esite
Soita 010 328 9980 ja kysy lisää Pyydä demo tai jätä yhteydenottopyyntö

Tescan AMBER ja AMBER X ovat FIB-SEM malleja, jotka on kehitetty CLARA FEG-SEM laitteiston ympärille (lisätietoa CLARA FEG-SEM mallista). Tescanin BrightBeam™ teknologia yhdistettynä elektronikolumnin sisällä oleviin in-beam elektronidetektoreihin mahdollistaa hyvinkin haastavien näytteiden kuvaamisen erittäin hyvällä resoluutiolla, jopa hyvinkin alhaisilla kiihdytysjännitteillä. Lisäksi kolumnin sisällä oleva multidetektori mahdollistaa elektronien suodattamisen niiden emittoitumiskulman ja energian perusteella, jolloin voidaan parantaa näytteestä saatavaa topografia- ja koostumusinformaatiota.

Tescan SOLARIS ja SOLARIS X ovat taas FIB-SEM malleja, jotka perustuvat MAGNA FEG-SEM elektronimikroskooppiin (lisätietoa MAGNA FEG-SEM mallista). Tescanin Triglav™ teknologia immersiolinsseillä yhdistettynä elektronikolumnin sisällä oleviin in-beam elektronidetektoreihin, mahdollistaa erittäin korkean resoluution kuvantamisen ei-magneettisten näytteiden kanssa. Immersiolinssit pystytään kytkemään pois päältä, jolloin myös magneettisten näytteiden kuvaaminen onnistuu, hieman heikommalla resoluutiolla.

SOLARIS ja AMBER FIB-SEM elektronimikroskoopissa hyödynnetään fokusoitua Ga ionisädettä, joka muodostetaan Orage™ ionitykin avulla. Orage™ ionitykin avulla päästään fokusoidun ionisäteen resoluutiossa jopa 2,5nm 30keV jännitteellä.

SOLARIS X ja AMBER X FIB-SEM elektronimikroskoopissa hyödynnetään fokusoitua Xe ionisädettä, joka muodostetaan HR-iFIB™ tai i-FIB™ ionitykin avulla. Ionisäteen resoluutio riippuu ionitykin konfiguraatiosta: i-FIB™ ionitykki mahdollistaa alle 25nm resoluution 30keV jännitteellä ja HR i-FIB™ ionitykki mahdollistaa jopa alle 15nm resoluution 30keV jännitteellä.